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霍尔效应测试仪，主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试 仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 1.半导体材料：SiGe， S1C， InAs， InGaAs， InP， A1GaAs， HgCdTe和铁氧体材料等等。 2.低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。 3.高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等。介绍
可测试材料
工业CT（industrial computerized tomography）是指应用于工业中的核成像技术。其基本原理是依据辐射在被检测物体中的减弱和···...
型号：NETZSCH LFA 457 MicroFlash/NETZSCH LFA 467 测试项目：导热系数=热扩散*比热*密度a. LFA 427···...
介绍热变形维卡维度测定仪，主要用于塑料、硬橡胶、尼龙、电绝缘材料、长纤维增强复合材料、高强度热固性层压材料等非金属材料的热变形温度及维卡软化点温度的测定。热变形···...
